[发明专利]扇出型封装方法及封装结构在审
| 申请号： | 201910696333.5 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110379721A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 狄云翔;刘孟彬;许嗣拓 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;吴凡 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种扇出型封装方法及封装结构，封装方法包括：提供承载基板；在承载基板上形成临时键合层；提供芯片，包括露出焊垫的芯片正面；在芯片正面形成永久键合层；使永久键合层和临时键合层相对设置，将芯片临时键合于承载基板上；在承载基板上形成封装层，至少填充满芯片之间的空间且包覆永久键合层侧壁和芯片侧壁；进行解键合处理；在解键合处理后，刻蚀永久键合层形成露出焊垫的开口；在开口中形成电连接焊垫的再布线结构。本发明在芯片的芯片正面形成永久键合层，由于永久键合层的粘结力更强，能够降低在形成封装层的过程中发生芯片偏移问题的概率，而且，能够避免因解键合处理后的残胶问题而对再布线结构和焊垫的电连接性能产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 永久键合 承载基板 焊垫 临时键合 芯片正面 芯片 键合 扇出型封装 封装结构 封装层 再布线 开口 电连接性能 相对设置 芯片侧壁 芯片偏移 电连接 粘结力 包覆 残胶 侧壁 刻蚀 封装 概率 | ||
【主权项】：
1.一种扇出型封装方法，其特征在于，包括：提供承载基板；在所述承载基板上形成临时键合层；提供芯片，所述芯片包括露出焊垫的芯片正面；在所述芯片正面形成永久键合层；使所述永久键合层和临时键合层相对设置，将所述芯片临时键合于所述承载基板上；在所述承载基板上形成封装层，所述封装层至少填充满所述芯片之间的空间且包覆所述永久键合层的侧壁以及所述芯片的侧壁；形成所述封装层后，进行解键合处理，去除所述临时键合层和所述承载基板；在所述解键合处理后，刻蚀所述永久键合层，形成露出所述焊垫的开口；在所述开口中形成电连接所述焊垫的再布线结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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