[发明专利]多芯片数据烧写测试方法有效

专利信息
申请号: 201910698626.7 申请日: 2019-07-31
公开(公告)号: CN110376510B 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 黄序;索鑫 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G06F8/61
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种多芯片数据烧写测试方法,设定多芯片的总数为N,其中N为大于1的整数,包括:步骤一,配置一组数据,所述一组数据包括M个数据,其中M为大于1的整数,且MN;步骤二,将配置后的一组数据通过数据缓冲存储器传输;步骤三,进入数据烧写模式;步骤四,将数据缓冲存储器中的一个数据一一对应多芯片中一个未烧写的芯片,对M个数据匹配对应的芯片同时并列执行烧写测试;步骤五,重复循环步骤一至步骤四,以完成所有芯片的数据烧写测试。本发明能够提高多芯片数据烧写的测试效率,降低测试成本。
搜索关键词: 芯片 数据 测试 方法
【主权项】:
1.一种多芯片数据烧写测试方法,其特征在于,设定多芯片的总数为N,其中N为大于1的整数,还包括:步骤一,配置一组数据,所述一组数据包括M个数据,其中M为大于1的整数,且M<N;步骤二,将配置后的一组数据通过数据缓冲存储器传输;步骤三,进入数据烧写模式;步骤四,将数据缓冲存储器中的一个数据一一对应多芯片中一个未烧写的芯片,对M个数据匹配对应的芯片同时并列执行烧写测试;步骤五,重复循环步骤一至步骤四,以完成所有芯片的数据烧写测试。
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