[发明专利]具有低凹陷和低侵蚀形貌的钨化学机械平面化(CMP)有效
| 申请号： | 201910701006.4 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110776829B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | M·斯腾德;A·德雷克斯凯;B·J·布伦南 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及可用于含钨半导体器件的化学机械平坦化(CMP)的组合物、方法和系统。包含双环脒添加剂的CMP浆料提供低凹陷和低侵蚀形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凹陷 侵蚀 形貌 化学 机械 平面化 cmp | ||
【主权项】：
1.一种化学机械平坦化(CMP)组合物，其包含：/n磨料；/n氧化剂；/n脒化合物或其水解衍生物，其包含通过双键与第一氮原子键合且通过单键与第二氮原子键合的碳原子，所述脒化合物具有以下结构：/n
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