[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910702059.8 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112309838B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 赵君红;赵海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有底部核心材料层，底部核心材料层上形成有多个分立的顶部核心层，相邻顶部核心层之间的区域为凹槽，且凹槽包括连接槽；形成保形覆盖顶部核心层和底部核心材料层的第一侧墙膜；在第一侧墙膜露出的剩余连接槽中形成阻挡结构；以阻挡结构为掩膜，去除顶部核心层顶部和底部核心材料层上的第一侧墙膜，形成第一掩膜侧墙；去除顶部核心层；以所述第一掩膜侧墙和阻挡结构为掩膜，图形化底部核心材料层形成底部核心层；在底部核心层的侧壁上形成第二掩膜侧墙；去除底部核心层。通过阻挡结构，使连接槽所对应位置处的底部核心层宽度较大，从而直接形成不同间隔的目标图形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
