[发明专利]一种碱液刻蚀制备MXene量子点的方法有效
| 申请号： | 201910703122.X | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110371979B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 李妍;齐昭君;王力锋;王钊 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/921 | 分类号： | C01B32/921;C01B32/914;C01B21/076;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碱液刻蚀制备MXene量子点的方法，属于半导体材料领域。该方法包括：称量MAX相、碱性化合物以及水备用；将碱性化合物溶于水，形成碱性溶液；将MAX相加入碱性溶液，室温条件下放置，形成浑浊液；将步骤3得到的浑浊液进行离心并通过过滤器抽滤，得到含MXene量子点的碱性溶液；对含MXene量子点的碱性溶液进行透析，除去溶液中碱性离子以及金属离子；将有机溶剂与MAX相混合搅拌，制备出MXene量子点。该方法制备过程简单、环境友好、成本低，消耗时间短且适合大规模生产；并且经过过证明对于MAX材料具有普适性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 制备 mxene 量子 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碱液刻蚀制备MXene量子点的方法，其特征在于，所述方法通过碱液法对MAX相中两性元素Al进行刻蚀，以及依靠碱性溶液的腐蚀性和阳离子的插层作用，从MAX相直接制备出不含有F离子的MXene量子点。
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