[发明专利]在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法有效
申请号: | 201910705346.4 | 申请日: | 2019-08-01 |
公开(公告)号: | CN110544632B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 岳帅旗;杨宇;张继帆;束平;徐洋 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 管高峰 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法,包括如下步骤:步骤1,在具有双面腔体的LTCC基板的背面台阶腔体内安装元器件;步骤2,在具有双面腔体的LTCC基板的背面台阶腔体上安装封装盖板;步骤3,在封装盖板上的封装盖板下表面导体层上制作BGA焊盘。本发明在LTCC基板的背面台阶腔体内安装元器件,并采用封装盖板封装后,在封装盖板上制作BGA焊盘,制作的BGA焊盘尺寸精度优于±5μm,位置精度优于±20μm,焊盘之间无需制作阻焊层,良好的支撑了具有双面腔体结构高密度陶瓷封装的高可靠BGA互联。 | ||
搜索关键词: | 具有 双面 ltcc 封装 盖板 制作 bga 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法,其特征在于,所述LTCC基板包括基板上表面和正面台阶腔体,以及基板下表面和背面台阶腔体;所述正面台阶腔体包括正面腔体台阶面和正面腔体底部导体层;所述基板下表面具有BGA焊盘;所述背面台阶腔体包括背面腔体台阶面导体层和背面腔体底部导体层;所述封装盖板包括:封装板,封装板上表面两端的封装盖板上表面导体层,以及封装板下表面的封装盖板下表面导体层;所述在具有双面腔体的LTCC基板的封装盖板上制作BGA焊盘的方法,包括如下步骤:/n步骤1,在所述背面台阶腔体内安装元器件;/n步骤2,在所述背面台阶腔体上安装封装盖板;/n步骤3,在所述封装盖板下表面导体层上制作BGA焊盘。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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