[发明专利]L形台阶状字线结构及其制作方法及三维存储器有效
申请号: | 201910705463.0 | 申请日: | 2019-07-31 |
公开(公告)号: | CN110391242B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 张刚;霍宗亮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/11529 | 分类号: | H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李永叶 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种L形台阶状字线结构及其制作方法及三维存储器,字线结构包括:多个L形字线单元,每个L形字线单元长边一侧沿着第二方向延伸且近邻一栅线缝隙,短边一侧沿着第一方向延伸且短边包含一字线引出端;其中,所述字线引出端形成于一台阶状的叠层结构,该叠层结构包含多个由绝缘材料形成的叠层对,通过在每个叠层对中的其中一个叠层靠近栅线缝隙的区域作为替换金属区域,该替换金属区域包含位于表面的短边区域表面金属层和位于内部的短边区域内部金属层,在第一方向上,短边区域表面金属层的长度大于短边区域内部金属层的长度,所述字线引出端对应该短边区域表面金属层。确保在刻蚀选择比不够高的情况下,即使刻蚀过度,也不发生字线短路的现象。 | ||
搜索关键词: | 台阶 状字线 结构 及其 制作方法 三维 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种L形台阶状字线结构,其特征在于,包括:多个L形字线单元,每个L形字线单元长边一侧沿着第二方向(y方向)延伸且近邻一栅线缝隙,短边一侧沿着第一方向(x方向)延伸且短边包含一字线引出端;其中,所述字线引出端形成于一台阶状的叠层结构,该叠层结构包含多个由绝缘材料形成的叠层对,通过在每个叠层对中的其中一个叠层靠近栅线缝隙的区域作为替换金属区,该替换金属区域包含位于表面的短边区域表面金属层和位于内部的短边区域内部金属层,在第一方向上,短边区域表面金属层的长度大于短边区域内部金属层的长度,所述字线引出端对应该短边区域表面金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的