[发明专利]半导体器件和半导体器件控制方法有效
| 申请号： | 201910706822.4 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110928347B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 片桐大介 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G05F1/08 | 分类号： | G05F1/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;傅远 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体器件和半导体器件控制方法。提供了控制半导体器件的方法和半导体器件，其中半导体器件可以将正常操作的环境温度定义在低水平。微控制器包括逻辑块、用于测量结温的温度传感器、用于消耗预定功率的功耗电路、以及用于控制功耗电路的功耗使得在温度传感器处测量的温度不低于逻辑块110的预定操作下限温度的控制器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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