[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201910708669.9 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110571282B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 任娜 | 申请（专利权）人： | 山东天岳电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王素花 |
| 地址： | 250118 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括：具有第一导电类型的外延层。在外延层上具有多个第二导电类型的半导体区域，第一导电类型与第二导电类型不同。多个第二导电类型的半导体区域包括：若干第一区域、以及以各第一区域为中心均匀围绕的预设数量的第二区域。其中，第一区域的宽度大于第二区域的宽度，第一区域的深度与第二区域的深度相同，第一区域、第二区域分别形成欧姆接触区域的形状相同。第一区域和第二区域分别与外延层形成肖特基二极管的PN结。通过上述技术方案，可以在尽量保持或不影响正常电流导通模式下肖特基二极管的正常导通性能的情况下，增强器件的抗浪涌电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管包括：/n具有第一导电类型的外延层；/n在所述外延层上具有多个第二导电类型的半导体区域，所述第一导电类型与所述第二导电类型不同；/n所述多个第二导电类型的半导体区域包括：若干第一区域、以及以各第一区域为中心均匀围绕所述第一区域的预设数量的第二区域；/n其中，所述第一区域的宽度大于所述第二区域的宽度，所述第一区域的深度与所述第二区域的深度相同，所述第一区域、所述第二区域分别形成欧姆接触区域的形状相同；/n所述第一区域和所述第二区域分别与所述外延层形成所述肖特基二极管的PN结。/n
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