[发明专利]半导体存储装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910715102.4 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN111696942A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 松下园江;西村贵仁;吉持一幸;箭内良广;臼井聡 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/522;H01L23/535;H01L21/768;H01L27/112 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备具有多个存储单元的单元阵列区域及包围单元阵列区域而配置在端部的外缘部，在单元阵列区域内具备积层体，该积层体是将多个导电层隔着第1绝缘层而积层，且多个导电层的端部具有成为阶梯状的面向外缘部的阶梯部，在阶梯部中的至少1阶的中央部，具有朝单元阵列区域内侧的凹陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社，未经东芝存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910715102.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁盘装置及其控制方法
- 下一篇：半导体存储装置及其控制方法
