[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板在审
| 申请号： | 201910717701.X | 申请日： | 2019-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN110444602A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 谢华飞;陈书志 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板，该方法包括如下步骤：S1，提供一基板；S2，在所述基板上沉积遮光层；S3，在所述遮光层上沉积缓冲层；S4，在所述缓冲层上形成薄膜晶体管；其中，所形成的金属氧化物层的厚度为3000埃以上，且需要在300‑800摄氏度的空气中退火0.5‑2小时，得到结晶化的金属氧化物，其中，所述有源层沟道的厚度为300埃‑1000埃；有益效果：与现有技术相比，本申请提供的一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，通过控制金属氧化物层的沉积时间，以控制金属氧化物膜层的厚度，再将金属氧化物在高温环境下进行退火处理，得到迁移率和稳定性更高的结晶化金属氧化物半导体层，提升了薄膜晶体管、阵列基板的迁移率以及对水氧的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物薄膜晶体管 阵列基板 沉积 制备 金属氧化物层 薄膜晶体管 金属氧化物 缓冲层 结晶化 迁移率 遮光层 基板 金属氧化物半导体层 金属氧化物膜层 退火 高温环境 退火处理 沟道 水氧 源层 申请 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，提供一基板；S2，在所述基板上沉积缓冲层；S3，在所述缓冲层上形成薄膜晶体管；其中，所形成的金属氧化物层的厚度为3000埃以上，且需要在300‑800摄氏度的空气中退火0.5‑2小时，得到结晶化的金属氧化物层，再经过刻蚀形成具有一定预设厚度的有源层沟道。
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