[发明专利]高速大容量存储器及写入、读取和擦除方法有效
| 申请号： | 201910720242.0 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112346646B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 李羚梅;刘博;尚进;云天嵩;蒋航;苏晓旭;李鑫儒;何海星;赵保磊 | 申请（专利权）人： | 天津光电通信技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 天津合正知识产权代理有限公司 12229 | 代理人： | 吕琦 |
| 地址： | 300211*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高速大容量存储器及写入、读取和擦除方法，高速大容量存储器包括：8行8列NAND FLASH存储芯片；8组控制线，每组控制线控制每列8片NAND FLASH存储芯片；32组数据线，每组数据线分别与每横向两片NAND FLASH存储芯片电连接，用于实现读写；FPGA，与所述8组控制线和32组数据线电连接，用于根据时序操作对NAND FLASH存储芯片进行读写控制。采用8X8共64片NAND FLASH组成存储阵列，每片FLASH存储容量为128Gb，可得总存储容量为1TB。并利用时序和多数据线复用方式实现高速读写功能，速率需要不小于819.2MB/S。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 容量 存储器 写入 读取 擦除 方法 | ||
【主权项】：
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