[发明专利]在数字线与一级存取装置之间包括二级存取装置的集成式存储器在审

专利信息
申请号: 201910730113.X 申请日: 2019-08-08
公开(公告)号: CN110827887A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: S·J·德尔纳;C·L·英戈尔斯 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063;H01L27/108
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请案涉及在数字线与一级存取装置之间包括二级存取装置的集成式存储器。一些实施例包含一种具有一级存取晶体管的集成式组合件。所述一级存取晶体管具有第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区与第二源极/漏极区当所述一级存取晶体管处于接通模式中时彼此耦合,且当所述一级存取晶体管处于断开模式中时不彼此耦合。电荷存储装置与所述第一源极/漏极区耦合。数字线通过二级存取装置与所述第二源极/漏极区耦合。所述二级存取装置具有接通模式和断开模式。仅当所述一级存取晶体管和所述二级存取装置两者处于其相应接通模式中时,所述数字线与所述电荷存储装置耦合。
搜索关键词: 数字 一级 存取 装置 之间 包括 二级 集成 存储器
【主权项】:
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