[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、触控显示面板在审
申请号: | 201910732514.9 | 申请日: | 2019-08-09 |
公开(公告)号: | CN110634804A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 艾飞;宋德伟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12;G02F1/1333;G02F1/1362;G06F3/041 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种阵列基板及其制备方法、触控显示面板,所述阵列基板的制备方法包括:在形成有薄膜晶体管及触控信号线的基板上制备无机绝缘层,在无机绝缘层上形成图案化的公共电极,之后在公共电极上制备一层钝化层,采用同一道光罩工艺对钝化层以及无机绝缘层进行图案化,以形成露出薄膜晶体管的漏极以及触控信号线的第一过孔,以及形成露出公共电极的第二过孔,使得触控信号线与公共电极通过形成于钝化层表面的触控电极桥接。本申请采用该工艺制程能够解决低温多晶硅有源矩阵朝着缩小特征尺寸的方向发展时,造成设备成本增长,且制程工艺复杂的问题。 | ||
搜索关键词: | 公共电极 制备 无机绝缘层 触控信号 薄膜晶体管 阵列基板 钝化层 图案化 制程 触控显示面板 低温多晶硅 钝化层表面 触控电极 设备成本 源矩阵 基板 漏极 桥接 申请 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:/n步骤S10,提供一基板,在所述基板上形成无机膜层和薄膜晶体管以及触控信号线,其中,所述触控信号线制备于所述无机膜层表面且与所述薄膜晶体管的源/漏极同层;/n步骤S20,在所述源/漏极以及所述触控信号线表面制备无机绝缘层,并在所述无机绝缘层表面形成图案化的公共电极;/n步骤S30,在所述公共电极表面制备钝化层,并通过同一道光罩制程图案化所述钝化层以及所述无机绝缘层,形成露出所述漏极以及所述触控信号线的第一过孔,以及形成露出所述公共电极的第二过孔;/n步骤S40,在所述钝化层表面形成图案化的像素电极以及触控电极,所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏极电连接,所述触控电极分别通过所述第一过孔以及所述第二过孔与所述触控信号线以及所述公共电极电连接,以使所述触控信号线与所述公共电极通过所述触控电极桥接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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