[发明专利]一种钝化接触双面太阳电池的制作方法在审
| 申请号： | 201910732834.4 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110571304A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 钟潇;白玉磐;付少剑;陈园 | 申请（专利权）人： | 江西展宇新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王小清 |
| 地址： | 334100 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种钝化接触双面太阳能电池的制作方法，将背面沉积氮化硅薄膜的硅片依次经过：去绕镀及制绒；硼扩散；边缘隔离；去除BSG；沉积正面钝化层氧化铝层和氮化硅层；丝网印刷和烧结，得到钝化接触双面太阳电池。其中，本发明提供的方法通过选择特定的制作工艺路线，使得本发明提供的工艺与现有已知的工艺相比不仅节省了制作钝化接触双面太阳能电池的步骤，且可以达到95％以上的产品批次良率。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 双面太阳能电池 沉积氮化硅薄膜 双面太阳电池 正面钝化层 氮化硅层 丝网印刷 氧化铝层 制作工艺 烧结 硼扩散 硅片 良率 制绒 沉积 去除 制作 背面 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种钝化接触双面太阳电池的制作方法，包括：将背面沉积氮化硅薄膜的硅片依次经过：/n1)去绕镀及制绒；/n2)硼扩散；/n3)边缘隔离；/n4)去除BSG；/n5)沉积正面钝化层氧化铝层和氮化硅层；/n6)丝网印刷和烧结；/n得到钝化接触双面太阳电池。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西展宇新能源股份有限公司，未经江西展宇新能源股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910732834.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
