[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201910737594.7 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110600369A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 许文山 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/417 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，所述制备方法包括：提供一衬底，所述衬底包括导电层；在所述导电层表面形成阻隔层；蚀刻所述阻隔层露出部分所述导电层；对露出的部分所述导电层进行掺杂形成第一电极，其中，所述第一电极为源极或者漏极。本申请的技术方案有效缩小了源漏极的尺寸，进而缩小所述半导体器件的尺寸，有利于提高所述半导体器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 导电层 阻隔层 衬底 制备 蚀刻 导电层表面 第一电极 集成度 源漏极 漏极 源极 申请 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：/n提供一衬底，所述衬底包括导电层；/n在所述导电层表面形成阻隔层；/n蚀刻所述阻隔层以露出部分所述导电层；以及/n对露出的部分所述导电层进行掺杂以形成第一电极，其中，所述第一电极为源极或者漏极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
