[发明专利]一种高纯硅生产用中心化合物的制备装置在审
| 申请号： | 201910737603.2 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN110368877A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 余水金;汪天培 | 申请（专利权）人： | 福建泰达高新材料有限公司 |
| 主分类号： | B01J8/10 | 分类号： | B01J8/10;B01J8/08;C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 曾捷 |
| 地址： | 365000 福建省三*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯硅生产用中心化合物的制备装置，包括反应炉和支撑脚，所述反应炉的下方前后两端左右两侧均固接有支撑脚，所述反应炉的内壁上下两端均固接有加热板，所述加热板的左端均通过第二导线与外界电源相连通。该高纯硅生产用中心化合物的制备装置，通过电机、反应炉、第一端盖、第二端盖、螺钉、环形滤网、第一胶塞、进气管和粗硅粉之间的配合，使启动电机带动粗硅粉离心后通过进气管对反应炉内部注入氯化氢气体进行制备，解决了现有技术气体与粉末的接触不良导致反应效率较差的问题，通过反应炉、进气管、排气管、第三端盖、第一胶塞、第二竖管和PH试纸之间的配合，解决了现有技术不变及时掌握内部原料余量导致原料浪费的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 反应炉 中心化合物 制备装置 高纯硅 进气管 加热板 支撑脚 粗硅 端盖 固接 胶塞 氯化氢气体 反应效率 环形滤网 技术气体 接触不良 启动电机 上下两端 外界电源 左右两侧 螺钉 第一端 排气管 内壁 竖管 左端 生产 制备 配合 电机 | ||
【主权项】：
1.一种高纯硅生产用中心化合物的制备装置，包括反应炉（1）和支撑脚（7），所述反应炉（1）的下方前后两端左右两侧均固接有支撑脚（7），其特征在于：所述反应炉（1）的内部中心安装有离心组件（4），所述离心组件（4）的内部放置有粗硅粉（8），所述离心组件（4）的上方设有动力组件（5），所述反应炉（1）的左右两侧和下方安装有流通组件（2），所述流通组件（2）的左右两端内部均安装有检测组件（3），所述反应炉（1）的内壁上下两端均固接有加热板（9），所述加热板（9）的左端均通过第二导线（6）与外界电源相连通。
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