[发明专利]存储装置以及存储装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910737862.5 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN111755599A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 园田康幸 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 林娜;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种更高性能的存储装置和存储装置的制造方法。实施方式涉及的存储装置的制造方法包括在基底之上隔开间隔形成第1层叠体以及第2层叠体。形成具有第1层叠体的侧面上的第1部分、第2层叠体的侧面上的第2部分、以及第1层叠体与第2层叠体之间的基底之上的第3部分的第1绝缘体。利用离子束，一边使第1绝缘体的第3部分残留，一边使第1绝缘体的第1部分的一部分和第2部分的一部分变薄。在第1绝缘体的第1部分与第1绝缘体的第2部分之间形成第2绝缘体。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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