[发明专利]半导体器件

摘要

本公开涉及一种半导体器件，其包括半导体衬底中的复合pn结结构，其中复合pn结结构被布置为具有预定的第一结缓变系数m1，其中m1≥0.50。复合pn结结构包括第一部分pn结结构和第二部分pn结结构，其中第一部分pn结结构被布置为具有预定的第一结构部分结缓变系数m11，并且其中第二部分pn结结构被布置为具有预定的第二部分结缓变系数m12。预定的第一部分结缓变系数m11与预定的第二部分结缓变系数m12不同，其中m11≠m12。预定的第一部分结缓变系数m11和第二部分结缓变系数m12中的至少一个大于0.50，其中m11和/或m12>0.50。复合pn结结构的预定的第一结缓变系数m1基于第一部分结缓变系数m11和第二部分结缓变系数m12的预定组合。