[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910742197.9 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN111029405A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 全永斗;朴韩蔚;朴世镇;郑鲁永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 范心田 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件，包括：衬底；有源区，从所述衬底向上突出；多个有源鳍，从所述有源区向上突出并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸，所述多个有源鳍设置在与所述衬底的所述上表面平行并与所述第一方向交叉的第二方向上；以及隔离结构，设置在所述衬底上，所述隔离结构覆盖所述有源区的侧壁和所述多个有源鳍中的每一个的侧壁的下部，其中，所述有源区的与所述多个有源鳍中的第一有源鳍相邻的第一侧壁具有阶梯形状，所述第一有源鳍在所述第二方向上设置在所述有源区的第一边缘上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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