[发明专利]溅射靶部件、溅射膜及其制造方法,溅射靶、膜体有效
申请号: | 201910746078.0 | 申请日: | 2019-08-13 |
公开(公告)号: | CN111364011B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 远藤瑶辅;山本浩由;桃井元;角田浩二;奈良淳史 | 申请(专利权)人: | JX金属株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/08;H01L51/54;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京伟思知识产权代理事务所(普通合伙) 11725 | 代理人: | 聂宁乐;胡瑾 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
提供一种溅射靶部件,其适于得到具有高功函数以及波长633nm下的折射率1.9~2.1等特性的溅射膜。所述溅射靶部件,由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成,Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下,在EPMA的面分析中,与全部晶相相比(Ga,In) |
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搜索关键词: | 溅射 部件 及其 制造 方法 膜体 | ||
【主权项】:
暂无信息
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