[发明专利]一种MIM电容及制作方法有效
| 申请号： | 201910747380.8 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110634731B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 吴恋伟;魏育才;林伟铭;林锦伟;邓丹丹;赵玉会;翁佩雪 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L23/64 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;郭鹏飞 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种MIM电容及制作方法，其中方法包括如下步骤：在具有介质层与第一层金属电极的晶圆上涂布光阻，将设置有全遮光膜、半遮光膜、全透光三个区域的光罩对光阻进行图形化，半遮光膜对应介质接触槽处，所遮光膜或者全透光对应金属接触槽处；以光阻和介质层为掩膜蚀刻分别得到金属接触槽和介质接触槽。本方案省去传统工艺中的多道工艺，简化制作MIM电容的工艺流程，缩短了生产周期，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mim 电容 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作MIM电容的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n在具有介质层与第一层金属电极的晶圆上涂布光阻，所述介质层覆盖在第一层电极上；/n将设置有全遮光膜、半遮光膜、全透光三个区域的光罩对光阻进行图形化，所述半遮光膜对应介质接触槽处，所述全遮光膜或者全透光对应金属接触槽处；/n对光阻显影得到完全显影区和不完全显影区，完全显影区对应金属接触槽处，不完全显影区对应介质接触槽处；/n以光阻和介质层为掩膜蚀刻完全显影区和不完全显影区分别得到金属接触槽和介质接触槽。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
