[发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法有效
| 申请号： | 201910748288.3 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111725230B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 宫崎真纪 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明关于半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。本发明的半导体存储装置具备：第1积层体，隔着第1绝缘层积层着多个导电层，具有上层的多个导电层的端部呈台阶状的第1台阶部、及下层的多个导电层的端部呈台阶状的第2台阶部；第2积层体，在衬底的上方隔着与第1绝缘层同种的第3绝缘层积层多个第2绝缘层，具有位于与构成第1台阶部的导电层相同的层的多个第2绝缘层的端部呈台阶状的第3台阶部；第1柱状部，配置在第1台阶部的第1阶，从第1阶贯通第1积层体；及第2柱状部，配置在第2台阶部的第2阶，从第2阶贯通第1积层体；第1台阶部及第2台阶部与第3台阶部相互对向，第2台阶部与第3台阶部至少一部分在俯视下重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司，未经铠侠股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910748288.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数据管理系统
- 下一篇：用于判断车辆催化转化器中的错误的系统和方法
