[发明专利]一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺在审
| 申请号： | 201910751913.X | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110449409A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 朱海荣;彭平;夏中高;李旭杰;杨雄磊 | 申请（专利权）人： | 平煤隆基新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B5/02 | 分类号： | B08B5/02;H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司： | 41102 郑州科维专利代理有限公司 | 代理人： | 王理君<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 461700河南省许*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，包括以下步骤：将存放时间超过4小时的石墨舟搬运至管式PECVD机台，对石墨舟进行洗舟工艺加载，洗舟工艺步骤为：开始、进舟、抽真空、吹扫、抽真空、检漏、抽真空、恒温、恒压、淀积一、抽真空、吹扫、淀积二、抽真空、吹扫、抽真空、充氮、取舟、结束，将运行过洗舟工艺后的石墨舟从炉管中取出后，按正常工艺流程装载硅片，运行镀膜工艺，本发明利用电离氨气对长时间存放的石墨舟在管式PECVD机台上运行洗舟工艺进行处理，处理后的石墨舟装载硅片后镀膜不会出现硅片污染导致的EL石墨舟印。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨舟 抽真空 吹扫 硅片 淀积 管式 装载 硅太阳能电池 氨气 机台 处理工艺 镀膜工艺 工艺步骤 硅片污染 工艺流程 电离 充氮 镀膜 恒压 加载 检漏 炉管 搬运 取出 制造 | ||
【主权项】：
1.一种避免PECVD工序中石墨舟印的处理工艺，包括以下步骤：/n步骤一，将存放时间超过4小时的石墨舟搬运至管式PECVD机台；/n步骤二，将石墨舟通过自动化设备搬运至炉管，对炉管加载洗舟工艺并运行洗舟工艺，洗舟工艺步骤为：开始、进舟、抽真空、吹扫、抽真空、检漏、抽真空、恒温、恒压、淀积一、抽真空、吹扫、淀积二、抽真空、吹扫、抽真空、充氮、取舟、结束；/n步骤三，将运行过洗舟工艺后的石墨舟从炉管中取出后，装载硅片，运行镀膜工艺。/n
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