[发明专利]感光装置及其制造方法、探测基板和阵列基板有效
| 申请号： | 201910752416.1 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110444553B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 周天民;黄睿;王利忠;宋吉鹏;杨涛;强朝辉 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张琛 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种感光装置及其制造方法、探测基板和阵列基板。所述感光装置形成在衬底上，并且包括：光敏元件，所述光敏元件包括：位于所述衬底上的第一电极层；位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层；和夹设在所述第一电极层与所述第二电极层之间的光电转换层，和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述光敏元件电连接，所述薄膜晶体管包括：位于所述衬底上的第一栅极；位于所述第一栅极远离所述衬底一侧的有源层；和位于所述有源层远离所述衬底一侧的第二栅极，其中，所述第一电极层和所述第二栅极位于同一层。 | ||
| 搜索关键词： | 感光 装置 及其 制造 方法 探测 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种感光装置，形成在衬底上，其中，所述感光装置包括：光敏元件，所述光敏元件包括：位于所述衬底上的第一电极层；位于所述第一电极层远离所述衬底一侧的第二电极层；和夹设在所述第一电极层与所述第二电极层之间的光电转换层，和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述光敏元件电连接，所述薄膜晶体管包括：位于所述衬底上的第一栅极；位于所述第一栅极远离所述衬底一侧的有源层；和位于所述有源层远离所述衬底一侧的第二栅极，其中，所述第一电极层和所述第二栅极位于同一层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
