[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
| 申请号： | 201910757044.1 | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110943005B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 河村大之;中村宏生 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;G03F7/16 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋晓宝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过第二处理部对通过第一处理部实施了第一处理的基板实施包括加热处理的第二处理的基板处理装置以及基板处理方法，能够抑制加热处理时间的偏差，从而能够制造高品质的基板。第一交接部和第二交接部在相互不同的位置进行基板的交接，搬运机构在节拍时间的整数倍的接收时刻从第一交接部和第二交接部中的一个交接部接收基板后，将该基板搬运至加热板单元，搬运部当在与接收时刻不同的交付时刻向一个交接部交付基板的期间，在第一处理部中执行维护动作而交付时刻变动时，将基板的交付目的地从一个交接部切换为另一个交接部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
