[发明专利]一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺

摘要

本发明公开了一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺，在P型硅衬底的正、背面及周边全表面依次沉积氧化硅膜、氧化铝膜、氮化硅或氮氧化硅膜复合介电膜层，并在局部开窗进行电极导出。本发明的三氧化二铝、二氧化硅、氮氧化硅、不同折射率氮化硅及其叠层结构的背表面钝化层，大大降低了背表面复合速率，提高背反射率，同时降低组件CTM，提高电池光衰及热辅助光衰表现、抗PID性能；可以用作掺硼或掺镓的P型单晶硅、P型多晶硅和P型类单晶硅衬底上制作该结构，且可兼容制造PERC电池、双面PERC+电池和叠瓦PERC电池等基于该复合介电膜钝化结构的钝化方法；该叠层结构的制备工艺步骤及顺序、相应制备方式及工艺参数范围，可以很好的完成电池制作。

主权项

1.一种复合介电钝化层结构太阳电池的制备工艺，其特征在于：/n准备P型硅衬底(4)；/n在P型硅衬底(4)的正面依次沉积N型发射结区(9)、氧化硅膜(3)、较高n值氮化硅或氮氧化硅膜(12)、和低n值氮化硅膜(1)；背面及周边依次沉积氧化硅膜(3)、氧化铝膜(2)和低n值氮化硅膜(1)，形成全表面叠层复合介电钝化膜层；/n在上述叠层镀膜的P型硅衬底(4)正面激光掺杂形成N++SE重掺区(10)，并匹配印刷穿透复合介电钝化膜层的Ag正电极(6)、背面局部开窗进行电极导出。/n