[发明专利]垂直型存储器装置在审
申请号: | 201910763298.4 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN110943090A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 朴株院;朴庆晋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11524;H01L27/11556 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;陈晓博 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种垂直型存储器装置,所述垂直型存储器装置包括:多个栅电极层,彼此分隔开并堆叠在基底上,并且在第一方向上以不同长度延伸且形成阶梯结构;第一层间绝缘层,覆盖所述多个栅电极层的阶梯结构;以及多个栅极接触插塞,贯穿第一层间绝缘层并且分别接触栅电极层。所述多个栅电极层包括与基底相邻设置的下栅电极层和设置在下栅电极层上的上栅电极层,使得下栅电极层位于基底与上栅电极层之间。所述多个栅极接触插塞包括连接到下栅电极层的下栅极接触插塞和连接到上栅电极层的上栅极接触插塞。上栅极接触插塞具有设置在比下栅极接触插塞的顶表面的高度高的高度处的最顶部部分。 | ||
搜索关键词: | 垂直 存储器 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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