[发明专利]一种适用于非环路结构SAR ADC的自关断比较器有效

专利信息
申请号: 201910767847.5 申请日: 2019-08-20
公开(公告)号: CN110445494B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 吴建辉;包天罡;李红;王鹏;王甫峰 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H03M1/46 分类号: H03M1/46
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 徐莹
地址: 210096 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种适用于非环路结构SAR ADC的自关断比较器,包括预放大电路和锁存电路,还包括自关断信号产生电路,用于根据比较器的输出信号产生一个自关断时钟信号用以关闭预放大级电路且保持锁存电路的数据锁存,包括第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第七PMOS管MP7和第八PMOS管MP8,其中第七NMOS管MN7的栅极分别连接第七PMOS管MP7的栅极和锁存电路中N端输出缓冲器BufferN的输出端,第七NMOS管MN7的源极连接第八NMOS管MN8的漏极,第七NMOS管MN7的漏极分别连接第七PMOS管MP7的漏极、第八PMOS管MP8的漏极、预放大电路中第一PMOS管MP1的栅极和第二PMOS管MP2的栅极。本发明利用自关断时钟信号关闭预放大电路,使得比较器在工作完毕后的功耗大大降低,且不会影响到比较器锁存电路的功能。
搜索关键词: 一种 适用于 环路 结构 sar adc 比较
【主权项】:
1.一种适用于非环路结构SAR ADC的自关断比较器,包括预放大电路和锁存电路,其特征在于,还包括自关断信号产生电路,用于根据比较器的输出信号产生一个自关断时钟信号用以关闭预放大级电路且保持锁存电路的数据锁存;所述自关断信号产生电路包括第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第七PMOS管MP7和第八PMOS管MP8,其中第七NMOS管MN7的栅极分别连接第七PMOS管MP7的栅极和锁存电路中N端输出缓冲器BufferN的输出端,第七NMOS管MN7的源极连接第八NMOS管MN8的漏极,第七NMOS管MN7的漏极分别连接第七PMOS管MP7的漏极、第八PMOS管MP8的漏极、预放大电路中第一PMOS管MP1的栅极和第二PMOS管MP2的栅极;第八NMOS管MN8的栅极分别连接第八PMOS管MP8的栅极、锁存电路中P端输出缓冲器BufferP的输出端,且第八NMOS管MN8的源极接地;第七PMOS管MP7的源极和第八PMOS管MP8的源极均连接电源。
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