[发明专利]一种低密度ITO靶材的制备方法有效
| 申请号： | 201910773128.4 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110483033B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 叶俊峰;文宏福 | 申请（专利权）人： | 广东欧莱高新材料股份有限公司;东莞市欧莱溅射靶材有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/622;C04B35/626;C23C14/35 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 程毅 |
| 地址： | 512000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低密度ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：S1、回收ITO废靶，并对所述ITO废靶进行预处理，获得ITO废靶粉末；S2、制备氢氧化铟浆料，根据配比，将一定量的所述氢氧化铟浆料与所述ITO废靶粉末混合、烘干后获得新配比的ITO粉末；S3、将所述ITO粉末压制成型获得坯体，将所述坯体烧结后获得所述低密度靶材。相对于现有技术，本发明的低密度ITO靶材通过添加氢氧化铟浆料改变ITO废靶中的铟、锡配比，利用了氢氧化铟浆料的类似胶体的性质，其能够充分与原ITO粉末混合，并充当粘接剂的角色，氢氧化铟脱水形成氧化铟的过程中不会使坯体收缩，保证成型后坯体的体积密度的稳定，克服了使用氧化铟作为改变配比的添加剂时引成型起坯体收缩的技术缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 密度 ito 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低密度ITO靶材的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS1、回收ITO废靶，并对所述ITO废靶进行预处理，获得ITO废靶粉末；/nS2、制备氢氧化铟浆料，根据配比，将一定量的所述氢氧化铟浆料与所述ITO废靶粉末混合、烘干后获得新配比的ITO粉末；/nS3、将所述ITO粉末压制成型获得坯体，将所述坯体烧结后获得所述低密度靶材。/n
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