[发明专利]一种金属图形化的剥离结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910773933.7 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110379707A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 甘先锋;杨水长 | 申请（专利权）人： | 无锡英菲感知技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 田媛媛 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种金属图形化的剥离结构，包括衬底；位于衬底上表面的胶膜结构层，且胶膜结构层具有一级向上的第一台阶；位于胶膜结构层背离衬底的表面的第一光刻胶层，且第一光刻胶层与胶膜结构层形成一级向上的第二台阶。本申请中由衬底、胶膜结构层、第一光刻胶层共同形成了具有两级向上的台阶结构的剥离结构，也即该剥离结构具有两层屋檐结构，一方面增加了衬底上表面与第一光刻胶层上表面之间的距离，可用于沉积厚度较厚的图形化金属，另一方面两层屋檐结构的宽度可以按需求进行调节，使得到的图形化金属宽度更窄，且胶膜结构层和第一光刻胶层更加稳固，不易塌陷，从而使得到的图形化金属边缘光滑。本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 胶膜结构 光刻胶层 剥离结构 图形化金属 衬底 衬底上表面 金属图形化 屋檐结构 两层 申请 边缘光滑 台阶结构 上表面 可用 两级 沉积 制作 塌陷 背离 稳固 | ||
【主权项】：
1.一种金属图形化的剥离结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上表面的胶膜结构层，且所述胶膜结构层具有一级向上的第一台阶；位于所述胶膜结构层背离所述衬底的表面的第一光刻胶层，且所述第一光刻胶层与所述胶膜结构层形成一级向上的第二台阶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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