[发明专利]存储器阵列及其制造方法有效
| 申请号： | 201910775074.5 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110634869B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 王国镇 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种存储器阵列及其制造方法。本发明公开了一种存储器阵列，包含一半导体基材，具有多数个有源区及使多数个有源区彼此绝缘的浅沟道隔离结构，有源区沿着第一方向延伸；多数条沿着第二方向延伸的埋入字线，设于半导体基材中，各有源区与两条埋入字线相交，从而各有源区被分割成三部分：一位线接触区域和两个存储单元接触区域，其中第二方向不垂直于第一方向；多数条沿着第三方向延伸的埋入位线，设于半导体基材中且位于埋入字线上方，其中第三方向垂直于第二方向；以及一外延硅层，从各存储单元接触区域暴露出的侧壁及上表面延伸出来。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包含：/n半导体基材，其包括有源区域；/n隔离区域；/n沿着所述半导体基材延伸的埋入字线，至少一条所述埋入字线和所述隔离区域与至少一个所述有源区域相交，所述至少一条所述埋入字线和所述隔离区域将所述至少一个所述有源区域分割成至少两部分，所述至少两部分包括至少一个存储单元接触区域和一个位线接触区域；/n沿着所述半导体基材延伸的埋入位线，至少一条所述埋入位线邻近所述位线接触区域放置；以及/n邻近所述至少一个存储单元接触区域的外延硅材料，其中所述外延硅材料具有高于所述埋入位线的上表面的上表面。/n
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