[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置在审

专利信息
申请号: 201910778034.6 申请日: 2019-08-22
公开(公告)号: CN110620154A 公开(公告)日: 2019-12-27
发明(设计)人: 陈川;陈鹏宇;马涛;杨成绍 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336
代理公司: 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 代理人: 刘源
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及显示技术领域,公开一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置。其中,薄膜晶体管包括衬底基板和依次层叠在衬底基板上的有源层和源漏电极;源漏电极中的源电极在衬底基板上的投影与有源层的部分边缘在衬底基板上的投影重叠。上述薄膜晶体管中,有源层接收光照的面积较小,可有效降低空穴的产生,减小光照条件下光生载流子的浓度,进而,可以避免在高温光照环境下工作的TFT出现空穴俘获几率增加、阈值电压下降等缺陷态,改善TFT器件在高温光照环境下的性能。当上述薄膜晶体管应用于显示面板中时,可以提高显示产品在高温环境下的工作性能,增强显示产品的可靠性。
搜索关键词: 薄膜晶体管 衬底基板 源层 光照环境 显示产品 显示面板 源漏电极 空穴 光生载流子 高温环境 工作性能 光照条件 空穴俘获 投影重叠 依次层叠 阵列基板 阈值电压 缺陷态 源电极 减小 制备 光照 投影 应用
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括衬底基板和依次层叠在所述衬底基板上的有源层和源漏电极;所述源漏电极中的源电极在衬底基板上的投影与所述有源层的部分边缘在衬底基板上的投影重叠。/n
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