[发明专利]像素结构及其修补方法有效
申请号: | 201910778080.6 | 申请日: | 2019-08-22 |
公开(公告)号: | CN110416231B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 颜泽宇 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L21/84 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提出的一种像素结构,包括基板、元件层设置于基板上、第一绝缘层设置于元件层上、第一发光元件设置于第一绝缘层上、第二发光元件设置于第一绝缘层上、多条第一信号线设置于第一绝缘层上以及多条第二信号线。第一信号线电性连接至元件层且第一信号线电性绝缘于第一发光元件。第二信号线电性连接第一信号线及第二发光元件。于第一方向上,第二发光元件重叠第一发光元件的部分,且第一发光元件的电极及第二发光元件的电极朝第一方向设置。本发明还提出一种像素结构的修补方法。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 修补 方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,包括:基板;元件层,设置于该基板上;第一绝缘层,设置于该元件层上;第一发光元件,设置于该第一绝缘层上,该第一发光元件包括第一半导体层、第二半导体层、电性连接于该第一半导体层的第一电极,以及电性连接于该第二半导体层的第二电极;第二发光元件,设置于该第一绝缘层上,该第二发光元件包括第三半导体层、第四半导体层、电性连接于该第三半导体层的第三电极,以及电性连接于该第四半导体层的第四电极;多条第一信号线,设置于该第一绝缘层上,该第一信号线电性连接至该元件层,且该第一信号线电性绝缘于该第一发光元件的该第一电极;以及多条第二信号线,该些第二信号线电性连接至该些第一信号线及该第二发光元件的该第三电极,其中,在第一方向上,该第二发光元件重叠该第一发光元件的部分,且该第一电极、该第二电极、该第三电极及该第四电极朝该第一方向设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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