[发明专利]一种静电保护电路在审
| 申请号： | 201910779459.9 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN112420688A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 许杞安 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及静电保护电路设计，公开了一种静电保护电路，包括：静电保护模块；输入输出端、电源端以及接地端；所述静电保护模块包括第一NMOS晶体管、第一电容及第一电阻，所述第一NMOS晶体管的源极和衬底均与所述输入输出端连接、漏极与所述接地端连接；所述第一电容的第一端与所述接地端连接、第二端与所述第一NMOS晶体管的栅极连接；所述第一电阻的第一端与所述输入输出端连接、第二端与所述第一NMOS晶体管的栅极连接。本发明中，所述静电保护电路能够在不影响内部电路工作的同时，有效实现内部电路的静电保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 保护 电路 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
