[发明专利]存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910785856.7 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN112420711B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡易宗;林志豪;李健志;吴佳纬 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/41;H10B41/50 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 周晓飞;许曼 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储器装置及其制造方法，此方法包含在基底上方形成多个栅极结构，在栅极结构的两侧形成第一间隙壁，在两相邻的第一间隙壁之间填充介电层，在栅极结构上方形成金属硅化物层，在金属硅化物层、第一间隙壁和介电层上方顺应性形成间隙壁材料层，以及对间隙壁材料层进行回刻蚀，以在金属硅化物层的两侧形成第二间隙壁。通过在金属硅化物层上形成间隙壁材料层，接着通过回刻蚀工艺移除间隙壁材料层的水平部分和金属硅化物层的残留物，以在金属硅化物层的两侧形成间隙壁，可避免相邻的金属硅化物层发生短路的问题，进而改善存储器装置的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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