[发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法有效

专利信息
申请号: 201910786679.4 申请日: 2019-08-23
公开(公告)号: CN110491887B 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 席克瑞;秦锋;崔婷婷;刘金娥;孔祥建;彭旭辉;侯东全;何宁 申请(专利权)人: 上海中航光电子有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法,阵列基板包括基板,以及位于基板同一侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管位于外围电路区域,第二薄膜晶体管位于显示区域;第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和低温多晶硅半导体层,沿垂直于基板所在平面的方向上,第一栅极所在膜层位于低温多晶硅半导体层所在膜层远离基板的一侧;第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极和金属氧化物半导体层,沿垂直于基板所在平面的方向上,第二栅极所在膜层位于金属氧化物半导体层所在膜层靠近基板的一侧;第一栅极与第二栅极同层设置。本发明以实现减少掩膜板的使用数量,减少工艺制程,降低制作成本。
搜索关键词: 一种 阵列 显示 面板 制作方法
【主权项】:
1.一种阵列基板,包括显示区域和位于所述显示区域外围的外围电路区域,其特征在于,所述阵列基板包括基板,以及位于所述基板同一侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管位于所述外围电路区域,所述第二薄膜晶体管位于所述显示区域;/n所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和低温多晶硅半导体层,沿垂直于所述基板所在平面的方向上,所述第一栅极所在膜层位于所述低温多晶硅半导体层所在膜层远离所述基板的一侧;所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极和金属氧化物半导体层,沿垂直于所述基板所在平面的方向上,所述第二栅极所在膜层位于所述金属氧化物半导体层所在膜层靠近所述基板的一侧;/n所述第一栅极与所述第二栅极同层设置。/n
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