[发明专利]监控MOSFET栅极线端切割工艺波动的方法在审
| 申请号： | 201910788057.5 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN110488575A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李中华;田明 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种监控MOSFET栅极线端切割工艺波动的方法，步骤一、制作前层栅极套刻图形，该栅极套刻图形排列于整个套刻标记的外围；步骤二、制作当层栅极线端切割层套刻图形，该栅极线端切割层套刻图形排列于整个套刻标记的内侧；步骤三、量测套刻精度值和特征尺寸值，分别补正栅极切割层套刻偏差和曝光能量片内分布。本发明能够提高曝光条件的反馈速度，提高效率，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 套刻 切割层 栅极线 套刻标记 图形排列 工艺波动 曝光能量 曝光条件 补正 当层 量测 前层 制作 切割 外围 反馈 监控 | ||
【主权项】：
1.一种监控MOSFET栅极线端切割工艺波动的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、制作前层栅极套刻图形，该栅极套刻图形排列于整个套刻标记的外围；/n步骤二、制作当层栅极线端切割层套刻图形，该栅极线端切割层套刻图形排列于整个套刻标记的内侧；/n步骤三、量测套刻精度值和特征尺寸值，分别补正栅极线端切割层套刻偏差和曝光能量片内分布。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910788057.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
