[发明专利]半导体器件封装有效
申请号: | 201910792259.7 | 申请日: | 2017-08-23 |
公开(公告)号: | CN110600386B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 邱基综;王盟仁;庄程淅;谢慧英;李彗华 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/13;H01L23/492;H01L23/538;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 萧辅宽 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体器件封装,其包括一导电基底和从该导电基底的一第一表面限定的一空腔。该空腔具有一底表面和一深度。一半导体裸片,其设置在该空腔的该底表面上。该半导体裸片具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面。该半导体裸片的该第二表面接合到该空腔的该底表面。该半导体裸片的该第一表面和该导电基底的该第一表面之间的一距离为该空腔的该深度的约20%。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 封装 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件封装,其包括:/n一导电基底,其包括侧壁,从所述导电基底的第一表面限定的空腔,所述空腔具有底表面和深度;/n设置在所述空腔的所述底表面上的半导体裸片,所述半导体裸片具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述半导体裸片的所述第二表面接合到所述空腔的所述底表面;及/n第一绝缘材料,其覆盖所述导电基底的所述侧壁且延伸至所述导电基底的底表面。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910792259.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造