[发明专利]存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 201910792745.9 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN110600480A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 罗佳明;顾立勋;徐融 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11573 | 分类号： | H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李洋;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种存储器及其制作方法，所述方法包括：在衬底的凹槽中形成外延层；在所述凹槽中形成覆盖所述外延层的保护层；在所述保护层上形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构，用于形成所述存储器中存储单元的栅极，所述栅极用于控制所述存储单元的导通或关断；形成贯穿所述堆叠结构并显露所述保护层的通孔；去除所述保护层并显露所述外延层；在所述通孔中形成所述存储单元的沟道区；其中，所述沟道区，与所述外延层相连，用于供所述存储单元存储与写入数据对应的电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 保护层 外延层 存储单元 堆叠结构 存储器 沟道区 通孔 显露 存储单元存储 写入数据 电荷 衬底 导通 关断 去除 贯穿 覆盖 制作 | ||
【主权项】：
1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底的凹槽中形成外延层；/n在所述凹槽中形成覆盖所述外延层的保护层；/n在所述保护层上形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构，用于形成所述存储器中存储单元的栅极，所述栅极用于控制所述存储单元的导通或关断；/n形成贯穿所述堆叠结构并显露所述保护层的通孔；/n去除所述保护层并显露所述外延层；/n在所述通孔中形成所述存储单元的沟道区；其中，所述沟道区，与所述外延层相连，用于供所述存储单元存储与写入数据对应的电荷。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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