[发明专利]一种纯CMOS超低功耗上电复位电路在审

专利信息
申请号: 201910793773.2 申请日: 2020-03-09
公开(公告)号: CN111092614A 公开(公告)日: 2020-05-01
发明(设计)人: 江永林;李拥军;周健 申请(专利权)人: 李拥军
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 241000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种纯CMOS超低功耗上电复位电路,包括用于产生偏置电流的第一支路、用于监测电源电压的第二支路和用于对复位信号进行整形的第三支路,所述第一支路包括MOS管M1和由P1个PMOS管依次串联组成的第一串接电路,第一串接电路一端接电源,另一端接MOS管M1的漏极,第一串接电路中的PMOS管的栅极均接地,第二支路包括MOS管M2和由P2个PMOS管依次串联组成的第二串接电路,本发明可以在各种上电时间情况下产生有效的上电复位信号,实现此功能电路需要面积小,功耗低。由于电路只采用PMOS和NMOS两种器件类型,可有效的适用于各种CMOS工艺制程芯片中。
搜索关键词: 一种 cmos 功耗 复位 电路
【主权项】:
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