[发明专利]单片集成射频器件、制备方法以及集成电路系统

摘要

本发明提供一种单片集成的射频器件、制备方法以及集成电路系统，制备方法包括：在第一基板上生成外延层；将外延层加工为至少一个电子器件，并在电子器件远离第一基层的一侧形成具有至少一个通孔的钝化层；在第二基板上依次形成压电薄膜、金属电极以及布拉格反射层，并形成贯穿布拉格反射层的电极互连孔；将布拉格反射层与钝化层键合连接，去除第二基板，在压电薄膜上形成顶电极以及电极接触点，顶电极与电极接触点通过电极互连孔与电子器件连接。本发明能够将射频前端模块上不同类型的多个电子器件集成在同一个芯片中，避免了需要额外设计线路的问题，减少了电气连接损失，降低了装配复杂性，减少了射频前端模块的尺寸和成本。

主权项

1.一种单片集成的射频器件制备方法，其特征在于，所述射频器件用于射频前端模块，所述制备方法包括：/nS1：在第一基板上生成外延层，所述外延层包括依次叠置的第一缓冲层、第二单晶层以及第三单晶层；/nS2：将所述外延层加工为至少一个电子器件，并在所述电子器件远离所述第一基层的一侧形成具有至少一个通孔的钝化层，所述电子器件包括功率放大器、噪声放大器以及开关中的至少一种；/nS3：在第二基板上依次形成压电薄膜、金属电极以及布拉格反射层，并形成贯穿所述布拉格反射层的电极互连孔；/nS4：将所述布拉格反射层与所述钝化层键合连接，使所述电极互连孔和所述通孔电连接，并去除第二基板，在所述压电薄膜远离所述金属电极的一侧依次形成顶电极以及电极接触点，所述顶电极与所述电极接触点通过所述电极互连孔与所述电子器件连接。/n