[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910800076.5 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112447512A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 郑二虎;赵振阳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成多个分立的侧墙，包括掩膜侧墙和伪掩膜侧墙；在基底上形成覆盖侧墙侧壁和顶部的保护层；形成保护层后，在基底上形成掩膜层，掩膜层具有开口，开口露出伪掩膜侧墙顶部的保护层；去除开口露出的伪掩膜侧墙顶部的保护层；以掩膜层和保护层为掩膜，去除伪掩膜侧墙；去除掩膜层和保护层；以掩膜侧墙为掩膜，图形化基底。本发明实施例中保护层能够在去除伪掩膜侧墙的步骤中，对掩膜侧墙起到保护作用，从而有利于防止掩膜侧墙受损，且通过保护层，还有利于减小去除伪掩膜侧墙的工艺受到掩膜侧墙的限制，从而增大去除伪掩膜侧墙的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
