[发明专利]基板处理装置及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201910803261.X | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN110872701B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 白子贤治;谷山智志 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/54 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;郑毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供基板处理装置及半导体装置的制造方法,在第一和第二处理模块中生成相同的膜的情况下能够在第一和第二处理模块之间使所生成的膜的品质相同。该基板处理装置具备:第一处理模块;第二处理模块;第一排气箱;第二排气箱;通用供给箱;第一阀组;以及第二阀组,为了在第一处理模块及第二处理模块中生成相同的膜,而错开时间并行地进行重复实质上相同的气体供给序列的处理,关于所错开的时间,通过以多种处理气体中的特定的气体的供给定时不与先开始处理的第一处理模块及第二处理模块的一方的气体供给序列重叠的方式,使后开始处理的第一处理模块及第二处理模块的另一方的气体供给序列延迟的方法来决定。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社国际电气,未经株式会社国际电气许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910803261.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数值控制装置
- 下一篇:用于分配液体的系统与从液体分配系统消除气泡的方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的