[发明专利]发光二极管外延生长反应腔的恢复方法及其外延生长方法有效
| 申请号： | 201910803412.1 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110739372B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 羊淑梅 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种发光二极管外延生长反应腔的恢复方法及其外延生长方法，属于半导体技术领域。恢复方法包括：向反应腔内通入Ga源和NH |
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| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 生长 反应 恢复 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延生长反应腔的恢复方法，其特征在于，所述恢复方法包括：/n提供反应腔，所述反应腔内用于外延生长发光二极管外延片；/n向所述反应腔内通入Ga源和NH
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