[发明专利]3D NAND闪存及制备方法

摘要

本发明提供一种3D NAND闪存及制备方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有叠层结构，叠层结构包括交替叠置的第一牺牲层及第二牺牲层；于叠层结构内形成沟道通孔及虚拟沟道通孔；于沟道通孔的侧壁表面形成功能侧壁，于功能侧壁的表面及沟道通孔的底部形成沟道层，并于虚拟沟道通孔内形成填充牺牲层；于叠层结构内形成栅极间隙；基于栅极间隙去除第一牺牲层以形成牺牲间隙；于牺牲间隙内形成栅极层；及去除填充牺牲层，以释放虚拟沟道通孔；并基于虚拟沟道通孔去除第二牺牲层以形成镂空间隙。本发明3D NAND闪存中栅极层之间设置为镂空间隙，相邻栅极层之间均为空气间隙，可以有效降低电容耦合效应，且可以减小甚至避免漏电流。

主权项

1.一种3D NAND闪存的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有叠层结构，所述叠层结构包括交替叠置的第一牺牲层及第二牺牲层；/n于所述叠层结构内形成沟道通孔及虚拟沟道通孔；/n于所述沟道通孔的侧壁表面形成功能侧壁，于所述功能侧壁的表面及所述沟道通孔的底部形成沟道层，并于所述虚拟沟道通孔内形成填充牺牲层；/n于所述叠层结构内形成栅极间隙；/n基于所述栅极间隙去除所述第一牺牲层以形成牺牲间隙；/n于所述牺牲间隙内形成栅极层；及/n去除所述填充牺牲层，以释放所述虚拟沟道通孔；并基于所述虚拟沟道通孔去除所述第二牺牲层以形成镂空间隙。/n