[发明专利]一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺

摘要

本发明公开了一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺，可以实现在进行母排和电极等电子元器件时，抛弃传统的焊盘形式，采用新型的定位筒形式，通过预先设计的延伸型导电件，一方面实现稳定的电性连接，另一方面可以代替现有的工装实现初定位作用，在滴加焊膏后直接进入焊接工序，大幅降低成本和装配的繁琐性，使用的焊膏量与传统工艺比较大幅减少，仅需要极少量的焊膏滴加至定位筒中，即可实现精准、稳定的焊接，进而降低后续工艺的清洗压力，甚至在滴加量严格控制的情况下达到免清洗的地步，采用新型工艺制备的IGBT模块在成本和效率上具有无可比拟的优势，且规避了许多影响产品质量的因素，具有极高的市场推广价值。

主权项

1.一种基于IGBT模块的母排的新型制备工艺，其特征在于：所述IGBT模块包括衬板（2）、基板（1）、母排（5）、电极（4）、半导体芯片（3）和外壳，所述衬板（2）上固定连接有若干定位筒（6），所述定位筒（6）内开凿有柱形孔，所述柱形孔下端壁上固定连接有导电块（8），且导电块（8）下端与衬板（2）上的电路连接，所述母排（5）和电极（4）的引脚和端子处均固定连接有导电针（7），且导电针（7）分别与母排（5）和电极（4）一体成型，所述IGBT模块的制备工艺包括以下步骤：/n步骤一、原材准备：衬板（2）按照设计电路拓扑在表面刻蚀出电路版图，确定半导体芯片（3）、母排（5）和电极（4）的位置；/n步骤二、元件检查：分别检查衬板（2）、基板（1）、母排（5）、电极（4）、半导体芯片（3）和外壳，确保合格后进入步骤三，否则更换合格的元件；/n步骤三、第一次焊接：将半导体芯片（3）预先焊接在衬板（2）上，得到衬板（2）组件；/n步骤四、第二次焊接：将衬板（2）组件焊接至基板（1）上，得到基板（1）组件；/n步骤五、元件装配：将焊膏滴加至定位筒（6）中，将母排（5）和电极（4）上的导电针（7）按照设计位置对准插入，实现初定位后得到IGBT模块胚体；/n步骤六、第三次焊接：将IGBT模块胚体送进隧道炉的进口，将隧道炉履带的运转速度设定为0.003-0.005m/s，控制隧道炉焊接段温度在220-350℃范围内，在焊接全程中需通氮气保护，进行回流焊接，从隧道炉出口取出IGBT模块胚体；/n步骤七、X光探测：用X光扫描仪对焊接好的IGBT模块胚体进行探测，剔除空洞率不符合要求的胚体；/n步骤八、外壳安装：将IGBT模块胚体与外壳和其它结构件按要求组装、整理；/n步骤九、灌胶保护：通过外壳上的注入口，向IGBT模块胚体中灌注硅凝胶；/n步骤十、高温老化：在120-150℃温度范围内，进行12-24h的老化；/n步骤十一、端子成型：将引出的电极（4）端子折弯、整形、固定，得到IGBT模块成品；/n步骤十二、测试出厂：对IGBT模块成品测试后进行标示包装。/n