[发明专利]半导体封装件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910806045.0 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110911427A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 张在权;李锡贤;石敬林 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括：第一再分布层；位于第一再分布层上的第一半导体芯片；覆盖第一半导体芯片的模制层；围绕第一半导体芯片并连接到第一再分布层的多个金属柱；位于模制层上并连接到所述多个金属柱的第二再分布层；以及位于第二再分布层上的第二半导体芯片。金属柱延伸穿过模制层。当在俯视图中观察时，第二半导体芯片与第一半导体芯片和金属柱交叠。制造半导体封装件的方法从包括多个第一半导体芯片的第一衬底获得晶片图，以及使用晶片图在第一半导体芯片上选择性地堆叠第二半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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