[发明专利]湿度感测器及其制造方法有效
| 申请号： | 201910807063.0 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110530934B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 涂煜杰 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 杨冬梅;张行知 |
| 地址： | 611730 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种湿度感测器及其制造方法。湿度感测器包含一基板、一电极结构及一湿度感测结构。电极结构设置于基板上。湿度感测结构设置于电极结构上。湿度感测结构包含第一湿度感测层及第二湿度感测层。第一湿度感测层直接接触电极结构并具有一第一氧缺陷数。第二湿度感测层设置于第一湿度感测层上并具有一第二氧缺陷数，其中第二氧缺陷数多于第一氧缺陷数。本发明的湿度感测器具有良好的灵敏度，能够在制程中更精细地监控车间的环境湿度。 | ||
| 搜索关键词： | 湿度 感测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种湿度感测器，其特征在于，包含：/n一基板；/n一电极结构，设置于该基板上；以及/n一湿度感测结构，设置于该电极结构上，其中该湿度感测结构包含：/n一第一湿度感测层，直接接触该电极结构，并具有一第一氧缺陷数；以及/n一第二湿度感测层，设置于该第一湿度感测层上，并具有一第二氧缺陷数，其中该第二氧缺陷数多于该第一氧缺陷数。/n
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