[发明专利]包括互补金属氧化物半导体晶体管的集成电路器件在审
| 申请号： | 201910807532.9 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN111223854A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 宋在俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈亚男;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了包括互补金属氧化物半导体晶体管的集成电路器件。所述集成电路器件包括：基底，包括第一导电型区域和第二导电型区域；第一有源区，布置在第二导电型区域中；第二有源区，布置在第一导电型区域中并且与第一有源区分隔开，并且隔离区位于第二有源区与第一有源区之间；隔离膜，形成在隔离区中；以及第一场切割区，在与第一有源区上的第一导电型晶体管和第二有源区上的第二导电型晶体管中的每个的沟道长度方向平行的第一方向上沿隔离区延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 互补 金属 氧化物 半导体 晶体管 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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